Hochschulschrift | Online-Publikation

Oberflächenspannung auf Si(111): Heteroepitaxie von Ge und CaF2, Adsorption von H und Sb

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Hannover, Univ., Diss., 2000

Schlagwort
Silicium
Halbleiteroberfläche
Oberflächenspannung
Spannungsanalyse
Silicium
Kristallfläche
Epitaxieschicht
Spannungsanalyse
Silicium
Kristallfläche
Adsorptionsschicht
Spannungsanalyse

Urheber

URN
urn:nbn:de:gbv:089-3237815008
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:47 MEZ

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Objekttyp

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