Hochschulschrift

Die Grundlagen der TSEE und ihre Anwendung zum Nachweis der Korrelation zwischen der Defektstruktur und dem qualitativen Verlauf der Haftstellenverteilung am Beispiel amorpher SiO2-Schichten [SiO-Schichten]

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Dimensions
30 cm
Extent
111 Bl.
Language
Deutsch
Notes
58 graph. Darst.
Rostock, Univ., Fak. für Mathematik, Physik u. Techn. Wiss., Diss. A, 1974 (Nicht f.d. Austausch.)

Creator
Schmidt, Manfred

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Last update
11.06.2025, 1:51 PM CEST

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Object type

  • Hochschulschrift

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