Hochschulschrift | Online-Publikation
Monolithische Integration von Heterostruktur-Bipolartransistoren und Elektroabsorptionsmodulatoren auf InP
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Duisburg, Essen, Univ., Diss., 2004
- Klassifikation
-
Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
- Schlagwort
-
Integrierte Optoelektronik
Heterobipolartransistor
Wellenleitermodulator
Elektroabsorption
Drei-Fünf-Halbleiter
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:hbz:464-duett-03012004-2202332
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:23 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
- Online-Publikation
Beteiligte
Ähnliche Objekte (12)
Monolithische Integration von Heterostruktur-Bipolartransistoren und Elektroabsorptionsmodulatoren auf InP
Monolithische Halbleiternanostrukturen als ballistische Verstärker und logische Gatter
Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Höchstgeschwindigkeitstransistoren auf InP
Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung
Monolithische Integration optoelektronischer Bauelemente mit Silizium-Elektronik
Monolithische Integration von Millimeterwellenbauelementen auf rückseitenstrukturiertem Silizium
Broadband amplifiers for high data rates using InP, InGaAs double heterojunction bipolar transistors
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Monolithische Photoempfänger zur Optik-Millimeterwellen-Konversion mit Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren und Heterostruktur-Feldeffekttransistor-Verstärkern auf InP
Monolithische Integration von programmierbaren akustoelektronischen PSK-Filtern auf Silizium
Die monolithische Integration mikroakustischer und mikroelektronischer Schaltungsteile auf Silizium
Monolithische Integration von Heterostruktur-Bipolartransistoren und Elektroabsorptionsmodulatoren auf InP
Monolithische Halbleiternanostrukturen als ballistische Verstärker und logische Gatter
Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Höchstgeschwindigkeitstransistoren auf InP
Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung
Monolithische Integration optoelektronischer Bauelemente mit Silizium-Elektronik
Monolithische Integration von Millimeterwellenbauelementen auf rückseitenstrukturiertem Silizium
Broadband amplifiers for high data rates using InP, InGaAs double heterojunction bipolar transistors
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Monolithische Photoempfänger zur Optik-Millimeterwellen-Konversion mit Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren und Heterostruktur-Feldeffekttransistor-Verstärkern auf InP
Monolithische Integration von programmierbaren akustoelektronischen PSK-Filtern auf Silizium
Die monolithische Integration mikroakustischer und mikroelektronischer Schaltungsteile auf Silizium
Monolithische Integration von Heterostruktur-Bipolartransistoren und Elektroabsorptionsmodulatoren auf InP
Monolithische Halbleiternanostrukturen als ballistische Verstärker und logische Gatter
Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Höchstgeschwindigkeitstransistoren auf InP
Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung
Monolithische Integration optoelektronischer Bauelemente mit Silizium-Elektronik
Monolithische Integration von Millimeterwellenbauelementen auf rückseitenstrukturiertem Silizium
Broadband amplifiers for high data rates using InP, InGaAs double heterojunction bipolar transistors
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Technologien für die monolithische Integration einer optoelektronischen Sendestufe
Monolithische Photoempfänger zur Optik-Millimeterwellen-Konversion mit Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren und Heterostruktur-Feldeffekttransistor-Verstärkern auf InP
Monolithische Integration von programmierbaren akustoelektronischen PSK-Filtern auf Silizium