ZnO-basierte Metall-Isolator-Halbleiter Feldeffekttransistoren mit Wolframoxid als Gatedielektrikum
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Leipzig, Universität Leipzig, Dissertation, 2013
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Halbleiter
Feldeffekttransistor
Nichtleiter
Dielektrikum
Transistor
Metall
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Leipzig
- (wer)
-
Universitätsbibliothek Leipzig
- (wann)
-
2013
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Grundmann, Marius
Grundmann, Marius
Offenhäusser, Andreas
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-108467
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
17.04.2025, 00:41 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
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Beteiligte
- Lorenz, Michael
- Grundmann, Marius
- Offenhäusser, Andreas
- Universitätsbibliothek Leipzig
Entstanden
- 2013
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