Multifunctional titanium oxide layers in silicon heterojunction solar cells formed via selective anodization

Abstract: Herein, a novel strategy is introduced to reduce the consumption of scarce materials in silicon heterojunction solar cells by combining approaches for Ag replacement in the metallization and a reduction of the indium tin oxide layer thickness: a Ti layer deposited by physical vapor deposition serves both as the contact layer of a copper-based metallization and after electrochemical oxidation as capping layer enabling the use of a thinner transparent conductive oxide. Further, the TiOx layer can build an encapsulation layer. While oxygen evolution and metal dissolution are found to be critical side reactions, a nonaqueous electrolyte is found in which these reactions can be avoided. The application on silicon heterojunction solar cells shows promising first results, exhibiting a short circuit current density of 35 mA cm−2 and a cell efficiency of close to 21% despite nonoptimized layer thicknesses

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Solar RRL. - 7, 19 (2023) , 2300418, ISSN: 2367-198X

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Freiburg
(wer)
Universität
(wann)
2024
Urheber
Jakob, Leonie
Tutsch, Leonard
Hatt, Thibaud
Westraadt, Johan
Ngongo, Sinoyolo
Glatthaar, Markus
Bivour, Martin
Bartsch, Jonas

DOI
10.1002/solr.202300418
URN
urn:nbn:de:bsz:25-freidok-2557357
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:51 MEZ

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Beteiligte

Entstanden

  • 2024

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