Hochschulschrift
DC and RF characterization of NiSi Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783893366446
- Maße
-
24 cm
- Umfang
-
IV, 151 S.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2009
- Erschienen in
-
Schriften des Forschungszentrums Jülich / Reihe Information / Forschungszentrum Jülich ; Vol. 12, [...]
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Schottky-Kontakt ; MOS ; MOS-FET ; Gleichstrom ; Hochfrequenz
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Jülich
- (wer)
-
Forschungszentrum, Zentralbibliothek
- (wann)
-
2010
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:hbz:82-opus-33906
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:47 MEZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Urban, Christoph Johannes
- Forschungszentrum, Zentralbibliothek
Entstanden
- 2010
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