Stable Al 2 O 3 Encapsulation of MoS 2 ‐FETs Enabled by CVD Grown h‐BN

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch

Bibliographic citation
Stable Al 2 O 3 Encapsulation of MoS 2 ‐FETs Enabled by CVD Grown h‐BN ; day:29 ; month:04 ; year:2022 ; extent:9
Advanced electronic materials ; (29.04.2022) (gesamt 9)

Creator
Piacentini, Agata
Marian, Damiano
Schneider, Daniel S.
González Marín, Enrique
Wang, Zhenyu
Otto, Martin
Canto, Bárbara
Radenovic, Aleksandra
Kis, Andras
Fiori, Gianluca
Lemme, Max Christian
Neumaier, Daniel

DOI
10.1002/aelm.202200123
URN
urn:nbn:de:101:1-2022042915243344900230
Rights
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
15.08.2025, 7:24 AM CEST

Data provider

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Associated

  • Piacentini, Agata
  • Marian, Damiano
  • Schneider, Daniel S.
  • González Marín, Enrique
  • Wang, Zhenyu
  • Otto, Martin
  • Canto, Bárbara
  • Radenovic, Aleksandra
  • Kis, Andras
  • Fiori, Gianluca
  • Lemme, Max Christian
  • Neumaier, Daniel

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