Stable Al 2 O 3 Encapsulation of MoS 2 ‐FETs Enabled by CVD Grown h‐BN

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
Stable Al 2 O 3 Encapsulation of MoS 2 ‐FETs Enabled by CVD Grown h‐BN ; day:29 ; month:04 ; year:2022 ; extent:9
Advanced electronic materials ; (29.04.2022) (gesamt 9)

Urheber
Piacentini, Agata
Marian, Damiano
Schneider, Daniel S.
González Marín, Enrique
Wang, Zhenyu
Otto, Martin
Canto, Bárbara
Radenovic, Aleksandra
Kis, Andras
Fiori, Gianluca
Lemme, Max Christian
Neumaier, Daniel

DOI
10.1002/aelm.202200123
URN
urn:nbn:de:101:1-2022042915243344900230
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:24 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Piacentini, Agata
  • Marian, Damiano
  • Schneider, Daniel S.
  • González Marín, Enrique
  • Wang, Zhenyu
  • Otto, Martin
  • Canto, Bárbara
  • Radenovic, Aleksandra
  • Kis, Andras
  • Fiori, Gianluca
  • Lemme, Max Christian
  • Neumaier, Daniel

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