Hochschulschrift
Anwendung der Finite-Differenzen- und der Finite-Elemente-Methode bei der Kristallzüchtung von Verbindungshalbleitern
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
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30 cm
- Umfang
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II, 114 Bl.
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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Ill., graph. Darst.
Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 1995
- Schlagwort
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Halbleiter
Kristallzüchtung
Temperaturverteilung
Finite-Differenzen-Methode
Finite-Elemente-Methode
- Urheber
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Lexow, Bernd
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
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11.06.2025, 13:33 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Lexow, Bernd