Hochschulschrift

Anwendung der Finite-Differenzen- und der Finite-Elemente-Methode bei der Kristallzüchtung von Verbindungshalbleitern

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
II, 114 Bl.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 1995

Schlagwort
Halbleiter
Kristallzüchtung
Temperaturverteilung
Finite-Differenzen-Methode
Finite-Elemente-Methode

Urheber
Lexow, Bernd

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:33 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Lexow, Bernd

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