Hochschulschrift

Anwendung der Finite-Differenzen- und der Finite-Elemente-Methode bei der Kristallzüchtung von Verbindungshalbleitern

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Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
II, 114 Bl.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 1995

Schlagwort
Halbleiter
Kristallzüchtung
Temperaturverteilung
Finite-Differenzen-Methode
Finite-Elemente-Methode

Urheber
Lexow, Bernd

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:33 MESZ

Datenpartner

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Lexow, Bernd

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