Hochschulschrift

Über das Wachstum von GaAs und InP im Plasma MOCVD-System

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
103 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1987

Schlagwort
Indiumphosphid
Epitaxie
GaAs
Galliumarsenid
Indiumphosphid
Epitaxie
Galliumarsenid-Bauelement
Galliumarsenid

Urheber
Heinecke, Harald

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:12 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Heinecke, Harald

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