Investigation on the Long-Term Stability of AlOx/SiNy:H and SiNy:H Passivation Layers During Illuminated Annealing at Elevated Temperatures
Abstract: Most crystalline Si based solar cells, e.g. passivated emitter and rear cells, rely on SiNy:H and AlOx/SiNy:H passivation layers. In this work, the long-term behavior of minority charge carrier lifetime in such symmetrically passivated samples during illuminated annealing at elevated temperatures is investigated by means of photoconductance decay based lifetime measurements, corona charging and capacitance voltage measurements. Thereby, AlOx layers, which are known to reduce H in-diffusion due to their barrier properties, deposited by atmospheric pressure chemical vapor deposition as well as by atomic layer deposition were considered enabling a comparison of different deposition techniques. The frequently published behavior of the bulk related degradation could be confirmed and the qualitative correlation between maximum defect density and the changing total amount of H in the Si bulk due to the barrier properties of the individual layers dielectric layers could be shown. Furthermo.... https://www.tib-op.org/ojs/index.php/siliconpv/article/view/938
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
Investigation on the Long-Term Stability of AlOx/SiNy:H and SiNy:H Passivation Layers During Illuminated Annealing at Elevated Temperatures ; volume:1 ; year:2023
SiliconPV conference proceedings ; 1 (2023)
- Urheber
- DOI
-
10.52825/siliconpv.v1i.938
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2406241120582.780434103691
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
- 14.08.2025, 10:53 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Geml, Fabian
- Mehler, Melanie
- Herguth, Axel
- Hahn, Giso
- Sanz Alonso, Sarah
Ähnliche Objekte (12)
Physikalisch-elektronische Eigenschaften ammoniaknitridierter RTP-SiOxNy-Schichten
Characterisation of SiOX / SiNX Surface Passivation Using Time-of-Flight Elastic Recoil Detection Analysis
Reaktive Abscheidung von SiOxNy-Schichten durch Puls-Magnetron-Sputtern
Annealing effects on SiOxNy thin films : Optical and morphological properties
Röntgenphotoelektronenspektroskopische Untersuchungen zur Charakterisierung von Si-SiOx-SiO2-Schichtsystemen und von SiOx für die Mikroelektronik
Elektronische Eigenschaften von a-SiOx:H-Filmen [a-SiOx-H-Filmen]
Prozessinduzierte Fehlergefüge in Siliziumeinkristallen : Systeme Si-SiOx, Si-SiO2 und Si-SiBx
Modeling poly-Si/SiOx/c-Si junctions for solar cells
Beugungsuntersuchungen zur Nahordnungsstruktur des amorphen SiOx [SiOx] unter besonderer Berücksichtigung elektronenoptischer Methoden
SiOx-SiCz MEMS-DBR-Based Tunable Optical Devices
On the Role of AlOx Thickness in AlOxSiNy : H Layer Stacks Regarding Light- and Elevated Temperature-Induced Degradation and Hydrogen Diffusion in c-Si
Understanding Hydrogen Passivation Mechanism in poly-Si Passivating Contacts via SixNy Composition: Insights From Effusion Studies
Physikalisch-elektronische Eigenschaften ammoniaknitridierter RTP-SiOxNy-Schichten
Characterisation of SiOX / SiNX Surface Passivation Using Time-of-Flight Elastic Recoil Detection Analysis
Reaktive Abscheidung von SiOxNy-Schichten durch Puls-Magnetron-Sputtern
Annealing effects on SiOxNy thin films : Optical and morphological properties
Röntgenphotoelektronenspektroskopische Untersuchungen zur Charakterisierung von Si-SiOx-SiO2-Schichtsystemen und von SiOx für die Mikroelektronik
Elektronische Eigenschaften von a-SiOx:H-Filmen [a-SiOx-H-Filmen]
Prozessinduzierte Fehlergefüge in Siliziumeinkristallen : Systeme Si-SiOx, Si-SiO2 und Si-SiBx
Modeling poly-Si/SiOx/c-Si junctions for solar cells
Beugungsuntersuchungen zur Nahordnungsstruktur des amorphen SiOx [SiOx] unter besonderer Berücksichtigung elektronenoptischer Methoden
SiOx-SiCz MEMS-DBR-Based Tunable Optical Devices
On the Role of AlOx Thickness in AlOxSiNy : H Layer Stacks Regarding Light- and Elevated Temperature-Induced Degradation and Hydrogen Diffusion in c-Si
Understanding Hydrogen Passivation Mechanism in poly-Si Passivating Contacts via SixNy Composition: Insights From Effusion Studies
Physikalisch-elektronische Eigenschaften ammoniaknitridierter RTP-SiOxNy-Schichten
Characterisation of SiOX / SiNX Surface Passivation Using Time-of-Flight Elastic Recoil Detection Analysis
Reaktive Abscheidung von SiOxNy-Schichten durch Puls-Magnetron-Sputtern
Annealing effects on SiOxNy thin films : Optical and morphological properties
Röntgenphotoelektronenspektroskopische Untersuchungen zur Charakterisierung von Si-SiOx-SiO2-Schichtsystemen und von SiOx für die Mikroelektronik
Elektronische Eigenschaften von a-SiOx:H-Filmen [a-SiOx-H-Filmen]
Prozessinduzierte Fehlergefüge in Siliziumeinkristallen : Systeme Si-SiOx, Si-SiO2 und Si-SiBx
Modeling poly-Si/SiOx/c-Si junctions for solar cells
Beugungsuntersuchungen zur Nahordnungsstruktur des amorphen SiOx [SiOx] unter besonderer Berücksichtigung elektronenoptischer Methoden
SiOx-SiCz MEMS-DBR-Based Tunable Optical Devices
On the Role of AlOx Thickness in AlOxSiNy : H Layer Stacks Regarding Light- and Elevated Temperature-Induced Degradation and Hydrogen Diffusion in c-Si