Temperature and Light-Induced Changes in Bulk and Passivation Quality of Boron-Doped Float-Zone Silicon Coated With SiN<sub>x</sub>:H

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: IEEE Journal of Photovoltaics ; 7 (2017), 2. - S. 463-470. - ISSN 2156-3381. - eISSN 2156-3403

Klassifikation
Physik

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Konstanz
(wer)
Bibliothek der Universität Konstanz
(wann)
2017
Urheber
Sperber, David
Heilemann, Adrian
Herguth, Axel
Hahn, Giso

URN
urn:nbn:de:bsz:352-2-cn82w3m8z3jy4
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:37 MESZ

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Beteiligte

Entstanden

  • 2017

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