Hochschulschrift
Herstellung ultra-dünner hoch-Ɛr Oxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
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9783832549947
3832549943
- Maße
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21 cm
- Umfang
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165 Seiten
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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Illustrationen
Technische Universität Dresden, Dissertation, 2019
- Erschienen in
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Research at NaMLab / NaMLab gGmbH ; Band 6
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
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Halbleiterspeicher
Zirkoniumdioxid
Hafniumdioxid
Dünne Schicht
Gate-Oxid
Dielektrische Schicht
Elektrischer Durchschlag
Dynamisches Verhalten
FRAM
Transistor
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Berlin
- (wer)
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Logos Verlag
- (wann)
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[2019]
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:34 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Knebel, Steve
- Logos Verlag Berlin
- Logos Verlag
Entstanden
- [2019]