Hochschulschrift

Herstellung ultra-dünner hoch-Ɛr Oxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783832549947
3832549943
Maße
21 cm
Umfang
165 Seiten
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Illustrationen
Technische Universität Dresden, Dissertation, 2019

Erschienen in
Research at NaMLab / NaMLab gGmbH ; Band 6

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Halbleiterspeicher
Zirkoniumdioxid
Hafniumdioxid
Dünne Schicht
Gate-Oxid
Dielektrische Schicht
Elektrischer Durchschlag
Dynamisches Verhalten
FRAM
Transistor

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Berlin
(wer)
Logos Verlag
(wann)
[2019]
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:34 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • [2019]

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