Hochschulschrift
Molekularstrahlepitaxie für hocheffiziente Laserdioden mit Vertikalresonator
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783183296095
3183296098
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VII, 143 S.
- Ausgabe
-
Als Ms. gedr.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Zugl.: Ulm, Univ., Diss.
- Erschienen in
-
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 296, Reihe 9
- Schlagwort
-
Indiumarsenid
Galliumarsenid
Aluminiumarsenid
Quantenwell-Laser
Vertikalresonator
Molekularstrahlepitaxie
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Düsseldorf
- (wer)
-
VDI-Verl.
- (wann)
-
1999
- Urheber
-
Reiner, Gernot
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:57 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Reiner, Gernot
- VDI-Verl.
Entstanden
- 1999
Ähnliche Objekte (12)
Modellierung und Design von Laserdioden mit Vertikalresonator
Material- und Prozeßtechnologien für langwellige Laserdioden mit Vertikalresonator
Analyse der optischen Moden in Laserdioden mit Vertikal-Resonator
Hochleistungs-Laserdioden mit InGaAsP-Quantenfilmen für Wellenlängen um 800 nm
Oberfächenemittierende Laserdioden mit Vertikalresonator im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Planare Laserdioden mit Vertikalresonator und zweidimensionale Laserdiodenarrays für die optische Verbindungstechnik
Gasquellen-Molekularstrahlepitaxie von InGaAsP Mehrfach-Quantentopf Laserdioden für den Wellenlängenbereich von 1300 nm bis 1550 nm
Schnelle AlGalnAs-InP-Multi-Quantentopf-Laserdioden bei 1.55 μm [mym] Wellenlänge für die digitale optische Nachrichtenübertragung bei hohen Bitraten
Zweiwellenlängeninterferometrie mit Laserdioden
Oberflächenemittierende Laserdioden mit Mehrfachepitaxie
Integrierbare langwellige Laserdioden
Verstärkungsdynamik modengekoppelter Laserdioden
Modellierung und Design von Laserdioden mit Vertikalresonator
Material- und Prozeßtechnologien für langwellige Laserdioden mit Vertikalresonator
Analyse der optischen Moden in Laserdioden mit Vertikal-Resonator
Hochleistungs-Laserdioden mit InGaAsP-Quantenfilmen für Wellenlängen um 800 nm
Oberfächenemittierende Laserdioden mit Vertikalresonator im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Planare Laserdioden mit Vertikalresonator und zweidimensionale Laserdiodenarrays für die optische Verbindungstechnik
Gasquellen-Molekularstrahlepitaxie von InGaAsP Mehrfach-Quantentopf Laserdioden für den Wellenlängenbereich von 1300 nm bis 1550 nm
Schnelle AlGalnAs-InP-Multi-Quantentopf-Laserdioden bei 1.55 μm [mym] Wellenlänge für die digitale optische Nachrichtenübertragung bei hohen Bitraten
Zweiwellenlängeninterferometrie mit Laserdioden
Oberflächenemittierende Laserdioden mit Mehrfachepitaxie
Integrierbare langwellige Laserdioden
Verstärkungsdynamik modengekoppelter Laserdioden
Modellierung und Design von Laserdioden mit Vertikalresonator
Material- und Prozeßtechnologien für langwellige Laserdioden mit Vertikalresonator
Analyse der optischen Moden in Laserdioden mit Vertikal-Resonator
Hochleistungs-Laserdioden mit InGaAsP-Quantenfilmen für Wellenlängen um 800 nm
Oberfächenemittierende Laserdioden mit Vertikalresonator im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Planare Laserdioden mit Vertikalresonator und zweidimensionale Laserdiodenarrays für die optische Verbindungstechnik
Gasquellen-Molekularstrahlepitaxie von InGaAsP Mehrfach-Quantentopf Laserdioden für den Wellenlängenbereich von 1300 nm bis 1550 nm
Schnelle AlGalnAs-InP-Multi-Quantentopf-Laserdioden bei 1.55 μm [mym] Wellenlänge für die digitale optische Nachrichtenübertragung bei hohen Bitraten
Zweiwellenlängeninterferometrie mit Laserdioden
Oberflächenemittierende Laserdioden mit Mehrfachepitaxie
Integrierbare langwellige Laserdioden