Hochschulschrift
Untersuchung der Grenzfläche GaAs(110)-Sb [GaAs-Sb] mit Hilfe der Ramanstreuung
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
179 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1986
- Schlagwort
-
Halbleiterbauelemente
Dioden
Halbleiterbauelement
Dioden-Array
- Urheber
-
Pletschen, Wilfried Reiner
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:11 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Pletschen, Wilfried Reiner
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