Hochschulschrift
Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Nanodraht-Tunnelfeldeffekttransistoren
- Weitere Titel
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Physics-based Modelling and Numerical Simulation of Nanowire-Tunneling Field-Effect Transistors
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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München, Technische Universität München, Diss., 2015
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
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T-FET
Nanodraht
Modellierung
Simulation
T-FET
Bauelement
Halbleiterbauelement
Nanodraht
Transistor
Modellierung
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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München
- (wer)
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Universitätsbibliothek der TU München
- (wann)
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2015
- Urheber
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Heigl, Alexander Maximilian
- Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
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urn:nbn:de:bvb:91-diss-20150424-1084538-1-5
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:46 MEZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Heigl, Alexander Maximilian
- Wachutka, Gerhard
- Hansch, Walter
- Universitätsbibliothek der TU München
Entstanden
- 2015