Hochschulschrift

Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Nanodraht-Tunnelfeldeffekttransistoren

Weitere Titel
Physics-based Modelling and Numerical Simulation of Nanowire-Tunneling Field-Effect Transistors
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
München, Technische Universität München, Diss., 2015

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
T-FET
Nanodraht
Modellierung
Simulation
T-FET
Bauelement
Halbleiterbauelement
Nanodraht
Transistor
Modellierung

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
München
(wer)
Universitätsbibliothek der TU München
(wann)
2015
Urheber
Heigl, Alexander Maximilian
Beteiligte Personen und Organisationen
Wachutka, Gerhard
Hansch, Walter

URN
urn:nbn:de:bvb:91-diss-20150424-1084538-1-5
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:46 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Heigl, Alexander Maximilian
  • Wachutka, Gerhard
  • Hansch, Walter
  • Universitätsbibliothek der TU München

Entstanden

  • 2015

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