Hochschulschrift
Über die Lösungszonenzüchtung von GaAs- und InP-Einkristallen und deren Charakterisierung mit besonderer Berücksichtigung der Eigendefekte in GaAs
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
108 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1986
- Schlagwort
-
InP
Kristallzüchtung
Galliumarsenideinkristalle
Indiumphosphateinkristalle
Kristallzüchtung
Galliumarsenid
Indiumphosphid
- Urheber
-
Stein, René A.
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:21 MEZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Stein, René A.
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