Hochschulschrift
Herstellung und Charakterisierung vollständig epitaktischer magnetischer Tunnelelemente mit Halbleiterbarriere
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
II, 81 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Regensburg, Univ., Diss., 2005
- Schlagwort
-
Magnetisches Tunnelelement
Epitaxie
Tunneleffekt ; Halbleiterschicht ; Zinkselenid ; Magnetowiderstand ; Magnetische Anisotropie ; Magnetisches Tunnelelement ; Tunnelmagnetowiderstand
- Urheber
-
Dumm, Martin
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 11:38 MEZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Dumm, Martin
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