Octave bandwidth S- and C-band GaN-HEMT power amplifiers for future 5G communication
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
In: International Journal of Microwave and Wireless Technologies (10:5-6) - Cambridge : Cambridge University Press - S. 737-743
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Berlin
- (wer)
-
Technische Universität Berlin
- (wann)
-
2019
- Urheber
-
Rautschke, Felix
May, Stefan
Drews, Sebastian
Maaßen, Daniel
Böck, Georg
- DOI
-
10.14279/depositonce-8292
- Handle
-
11303/9209
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2019040302050491770986
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:44 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Rautschke, Felix
- May, Stefan
- Drews, Sebastian
- Maaßen, Daniel
- Böck, Georg
- Technische Universität Berlin
Entstanden
- 2019
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