Graphene field-effect transistor application-electric band structure of graphene in transistor structure extracted from quantum capacitance

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
2044-5326
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
Graphene field-effect transistor application-electric band structure of graphene in transistor structure extracted from quantum capacitance ; volume:32 ; number:1 ; day:11 ; month:10 ; year:2016 ; pages:64-72 ; date:1.2017
Journal of materials research ; 32, Heft 1 (11.10.2016), 64-72, 1.2017

Urheber
Nagashio, Kosuke
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1557/jmr.2016.366
URN
urn:nbn:de:101:1-2021040420000275842410
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:50 MESZ

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Beteiligte

  • Nagashio, Kosuke
  • SpringerLink (Online service)

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