Graphene field-effect transistor application-electric band structure of graphene in transistor structure extracted from quantum capacitance
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
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2044-5326
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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online resource.
- Erschienen in
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Graphene field-effect transistor application-electric band structure of graphene in transistor structure extracted from quantum capacitance ; volume:32 ; number:1 ; day:11 ; month:10 ; year:2016 ; pages:64-72 ; date:1.2017
Journal of materials research ; 32, Heft 1 (11.10.2016), 64-72, 1.2017
- Urheber
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Nagashio, Kosuke
- Beteiligte Personen und Organisationen
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SpringerLink (Online service)
- DOI
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10.1557/jmr.2016.366
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2021040420000275842410
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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14.08.2025, 10:50 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Nagashio, Kosuke
- SpringerLink (Online service)