Hochschulschrift
Numerische Simulation von Si-SiGe-Hochfrequenztransistoren unter besonderer Berücksichtigung des elektronischen Rauschens
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783826599187
3826599187
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
X, 156 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Zugl.: Bremen, Univ., Diss., 2001
- Schlagwort
-
Hochfrequenztransistor
Heterobipolartransistor
Silicium
Germanium
Elektronisches Rauschen
Kleinsignalverhalten
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:59 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Decker, Stefan
- Shaker
Entstanden
- 2002
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