Hochschulschrift
Untersuchung des elektronischen Transports an 28 nm MOSFETs und an Schottky-Barrieren FETs aus Silizium-Nanodrähten
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
xi, 171 Seiten
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Illustrationen
Technische Universität Dresden, Dissertation, 2018
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
-
MOS-FET
Schottky-Kontakt
Transistor
Magnetowiderstand
Nanodraht
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 1:50 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
Time of origin
- [2018]
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Ladungsträgertransport über inhomogene Silizid-Silizium Schottky-Barrieren
Modelling and fabrication of high performance Schottky barrier SOI-MOSFETs with low effective Schottky barriers
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Nichtlineare Magnetotransportuntersuchungen an elektrostatisch eingeschnürten Kanälen in Silizium-MOSFETs
Transportuntersuchungen an Einzelelektronentransistoren auf Basis CMOS-kompatibler Silizium-MOSFETs
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Schottky, Hedwig. Schottky, Johannes
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