Hochschulschrift
Untersuchung des Einflusses von Dotierungen auf das Kristallpotential von Silizium durch Beugung im konvergenten Elektronenbündel
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
92, 22 Bl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 04 - Physik, Diss., 1979. (Nur als Microfiche f.d. Austausch.)
- Schlagwort
-
Siliziumkristalle
Dotierung
Siliciumcarbid
Dotierung
- Urheber
-
Voss, Rainer
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:56 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Voss, Rainer
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