Efficient Ohmic Contact in Monolayer CrX 2 N 4 (X = C, Si) Based Field‐Effect Transistors (Adv. Electron. Mater. 3/2023)
- Standort
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                Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
 
- Umfang
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                Online-Ressource
 
- Sprache
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                Englisch
 
- Erschienen in
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                Efficient Ohmic Contact in Monolayer CrX 2 N 4 (X = C, Si) Based Field‐Effect Transistors (Adv. Electron. Mater. 3/2023) ; volume:9 ; number:3 ; year:2023 ; extent:1
Advanced electronic materials ; 9, Heft 3 (2023) (gesamt 1)
 
- Urheber
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                Shu, Yu
Liu, Yongqian
Cui, Zhou
Xiong, Rui
Zhang, Yinggan
Xu, Chao
Zheng, Jingying
Wen, Cuilian
Wu, Bo
Sa, Baisheng
 
- DOI
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                        10.1002/aelm.202370013
 
- URN
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                        urn:nbn:de:101:1-2023031114154813639377
 
- Rechteinformation
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                        Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
 
- Letzte Aktualisierung
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                        14.08.2025, 10:53 MESZ
 
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Shu, Yu
 - Liu, Yongqian
 - Cui, Zhou
 - Xiong, Rui
 - Zhang, Yinggan
 - Xu, Chao
 - Zheng, Jingying
 - Wen, Cuilian
 - Wu, Bo
 - Sa, Baisheng