Efficient Ohmic Contact in Monolayer CrX 2 N 4 (X = C, Si) Based Field‐Effect Transistors (Adv. Electron. Mater. 3/2023)

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
Efficient Ohmic Contact in Monolayer CrX 2 N 4 (X = C, Si) Based Field‐Effect Transistors (Adv. Electron. Mater. 3/2023) ; volume:9 ; number:3 ; year:2023 ; extent:1
Advanced electronic materials ; 9, Heft 3 (2023) (gesamt 1)

Urheber
Shu, Yu
Liu, Yongqian
Cui, Zhou
Xiong, Rui
Zhang, Yinggan
Xu, Chao
Zheng, Jingying
Wen, Cuilian
Wu, Bo
Sa, Baisheng

DOI
10.1002/aelm.202370013
URN
urn:nbn:de:101:1-2023031114154813639377
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:53 MESZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.

Beteiligte

  • Shu, Yu
  • Liu, Yongqian
  • Cui, Zhou
  • Xiong, Rui
  • Zhang, Yinggan
  • Xu, Chao
  • Zheng, Jingying
  • Wen, Cuilian
  • Wu, Bo
  • Sa, Baisheng

Ähnliche Objekte (12)