Hochschulschrift
Technologie und Charakterisierung des Bipolar-Mode-Feldeffekttransistors auf Galliumarsenid
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783861111788
3861111780
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
II, 160 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss., 1992
- Schlagwort
-
Galliumarsenid-Feldeffekttransistor
Bipolartransistor
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Aachen
- (wer)
-
Shaker
- (wann)
-
1992
- Urheber
-
Schweeger, Giorgio
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:04 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Schweeger, Giorgio
- Shaker
Entstanden
- 1992
Ähnliche Objekte (12)
Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente
Galliumarsenid, Technologie für monolithische Integration
Elektrische Charakterisierung des EL6-Defektes in Galliumarsenid
Dimensionierung und Technologie integrationsfähiger GHz-MeSFETs aus Galliumarsenid
Wasserstoff in Galliumarsenid
Piezospektroskopie an Galliumarsenid
Horizontale Bridgman-Züchtung und spektroskopische Charakterisierung von Galliumarsenid-Einkristallen
Untersuchung von Ladungstransfermechanismen an Galliumarsenid/Metall- und Galliumarsenid/Elektrolyt-Grenzflächen
Isolierende Filme auf Galliumarsenid
Röntgentopografische Untersuchungen an Galliumarsenid
Kompensationsmechanismen in halbisolierendem Galliumarsenid
Technologie koplanarer monolithisch integrierter Mikrowellenschaltungen auf Galliumarsenid unter Verwendung von Submikron-Feldeffekttransistoren
Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente
Galliumarsenid, Technologie für monolithische Integration
Elektrische Charakterisierung des EL6-Defektes in Galliumarsenid
Dimensionierung und Technologie integrationsfähiger GHz-MeSFETs aus Galliumarsenid
Wasserstoff in Galliumarsenid
Piezospektroskopie an Galliumarsenid
Horizontale Bridgman-Züchtung und spektroskopische Charakterisierung von Galliumarsenid-Einkristallen
Untersuchung von Ladungstransfermechanismen an Galliumarsenid/Metall- und Galliumarsenid/Elektrolyt-Grenzflächen
Isolierende Filme auf Galliumarsenid
Röntgentopografische Untersuchungen an Galliumarsenid
Kompensationsmechanismen in halbisolierendem Galliumarsenid
Technologie koplanarer monolithisch integrierter Mikrowellenschaltungen auf Galliumarsenid unter Verwendung von Submikron-Feldeffekttransistoren
Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente
Galliumarsenid, Technologie für monolithische Integration
Elektrische Charakterisierung des EL6-Defektes in Galliumarsenid
Dimensionierung und Technologie integrationsfähiger GHz-MeSFETs aus Galliumarsenid
Wasserstoff in Galliumarsenid
Piezospektroskopie an Galliumarsenid
Horizontale Bridgman-Züchtung und spektroskopische Charakterisierung von Galliumarsenid-Einkristallen
Untersuchung von Ladungstransfermechanismen an Galliumarsenid/Metall- und Galliumarsenid/Elektrolyt-Grenzflächen
Isolierende Filme auf Galliumarsenid
Röntgentopografische Untersuchungen an Galliumarsenid
Kompensationsmechanismen in halbisolierendem Galliumarsenid