Forming‐Free Grain Boundary Engineered Hafnium Oxide Resistive Random Access Memory Devices
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
In: Advanced Electronic Materials, 5, (10), Wiley-VCH
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Darmstadt
- (wer)
-
Universitäts- und Landesbibliothek
- (wann)
-
2024
- DOI
-
10.26083/tuprints-00017041
- URN
-
urn:nbn:de:tuda-tuprints-170410
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:45 MEZ
Datenpartner
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Beteiligte
- Petzold, Stefan
- Zintler, Alexander
- Eilhardt, Robert
- Piros, Eszter
- Kaiser, Nico
- Sharath, Sankaramangalam Ulhas
- Vogel, Tobias
- Major, Márton
- McKenna, Keith
- Molina-Luna, Leopoldo
- Alff, Lambert
- Universitäts- und Landesbibliothek
Entstanden
- 2024
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