Hochschulschrift

Rasterelektronenmikroskopische Untersuchungen an elektrisch aktiven Defekten in Halbleitern

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
170 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Stuttgart, Univ., Diss., 1988

Schlagwort
Halbleiterbauelemente
Gitterfehler
Silizium
Halbleiterbauelement
Gitterbaufehler
Silicium

Urheber
Bode, Michael

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:57 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Bode, Michael

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