Structural Analysis of Highly Relaxed GaSb Grown on GaAs Substrates with Periodic Interfacial Array of 90° Misfit Dislocations
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
1556-276X
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
online resource.
- Erschienen in
-
Structural Analysis of Highly Relaxed GaSb Grown on GaAs Substrates with Periodic Interfacial Array of 90° Misfit Dislocations ; volume:4 ; number:12 ; day:30 ; month:8 ; year:2009 ; pages:1458-1462 ; date:12.2009
Nanoscale research letters ; 4, Heft 12 (30.8.2009), 1458-1462, 12.2009
- Urheber
-
Jallipalli, A.
Balakrishnan, G.
Huang, SH
Rotter, TJ
Nunna, K.
Liang, BL
Dawson, LR
Huffaker, DL
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1007/s11671-009-9420-9
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2021080720381681442005
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:55 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Jallipalli, A.
- Balakrishnan, G.
- Huang, SH
- Rotter, TJ
- Nunna, K.
- Liang, BL
- Dawson, LR
- Huffaker, DL
- SpringerLink (Online service)
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