Hochschulschrift

Quantum mechanical and atomic level ab initio calculation of electron transport through ultrathin gate dielectrics of metal oxide semiconductor field effect transistors

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2008

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Ab-initio-Rechnung
Dichtefunktionalformalismus

Urheber

URN
urn:nbn:de:bsz:ch1-200800477
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:42 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

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