Resistive switching in mixed orthorhombic/hexagonal RMnO3 (R = Y, Er) polycrystalline thin films
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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Berlin, Freie Universität Berlin, Dissertation, 2024
- Schlagwort
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Polykristall
Dünne Schicht
Ferroelektrikum
- DOI
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10.17169/refubium-44694
- URN
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urn:nbn:de:kobv:188-refubium-44983-5
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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15.08.2025, 07:34 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Wu, Rong
- Freie Universität Berlin
Entstanden
- 2024