Hochschulschrift
Photoemissionsspektroskopie zur Untersuchung der Schottky-Barrieren von Zinn und Antimon auf GaAs(110)-Flächen [GaAs-Flächen]
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
111 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1985
- Schlagwort
-
Oberfläche (Physik)
Grenzfläche
Schottky-Effekt
Galliumarsenid
Halbleiter
Oberfläche
Grenzfläche
Schottky-Diode
Galliumarsenid
Halbleiter
- Urheber
-
Mattern-Klosson, Monika
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:01 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Mattern-Klosson, Monika
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