Hochschulschrift
Quasi-van-der-Waals-Epitaxie von II-VI-Halbleitern auf Schichtgitterchalkogeniden und GaSe-terminierten Si(111)-Oberflächen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
IV, 176, XXIX S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst., Ill.
Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2003 (Nicht für den Austausch)
- Schlagwort
-
Silicium
Galliumselenide
Zwei-Sechs-Halbleiter
Chalkogenide
Heteroepitaxie
Epitaxie ; Heteroepitaxie ; Molekularstrahlepitaxie ; Zinkselenid ; van-der-Waals-Kraft ; Cadmiumtellurid ; Silicium ; Optoelektronik
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:19 MESZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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