Hochschulschrift
Quasi-van-der-Waals-Epitaxie von II-VI-Halbleitern auf Schichtgitterchalkogeniden und GaSe-terminierten Si(111)-Oberflächen
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
IV, 176, XXIX S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst., Ill.
Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2003 (Nicht für den Austausch)
- Keyword
-
Silicium
Galliumselenide
Zwei-Sechs-Halbleiter
Chalkogenide
Heteroepitaxie
Epitaxie ; Heteroepitaxie ; Molekularstrahlepitaxie ; Zinkselenid ; van-der-Waals-Kraft ; Cadmiumtellurid ; Silicium ; Optoelektronik
- Creator
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:19 PM CEST
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Object type
- Hochschulschrift
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Quasi-van der Waals-Epitaxie von GaSe auf Si und GaAs : Struktur und elektronische Eigenschaften
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Verspannungseffekte bei der Epitaxie organischer Halbleiter: Pentazen-Si(111)
Beiträge zur Epitaxie tetraedrisch koordinierter Halbleiter : geometr.-strukturelle Betrachtungen
Quasi-van der Waals-Epitaxie von GaSe auf Si und GaAs : Struktur und elektronische Eigenschaften
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