Hochschulschrift | Online-Publikation
Untersuchung der elektrischen Eigenschaften breitlückiger Halbleiterschichtstrukturen für optoelektronische Anwendungen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Bremen, Univ., Diss., 1999
- Schlagwort
-
Wide-gap-Halbleiter
Zinkselenid
Galliumnitrid
Elektrische Eigenschaft
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:gbv:46-diss000000540
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:53 MEZ
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- Hochschulschrift
- Online-Publikation
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