Annealing induced void formation in epitaxial Al thin films on sapphire (α-Al2O3)
- Sprache
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Englisch
- Identifier
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1169313620
Dehm, G.
Scheu, C.
- DOI
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10.18154/RWTH-2017-10200
- URN
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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26.01.2023, 13:54 MEZ
Beteiligte
- Hieke, S. W.
- Dehm, G.
- Scheu, C.