Annealing induced void formation in epitaxial Al thin films on sapphire (α-Al2O3)

Sprache
Englisch
Identifier
1169313620

Beteiligte Personen und Organisationen
Hieke, S. W.
Dehm, G.
Scheu, C.

DOI
10.18154/RWTH-2017-10200
URN
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
26.01.2023, 13:54 MEZ

Beteiligte


  • Hieke, S. W.
  • Dehm, G.
  • Scheu, C.

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