Low-temperature electrical resistivity of slightly Ge-doped YbRh2Si2

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Journal of the Physical Society of Japan, 80, Suppl. A, S. SA004-

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Augsburg
(wer)
Universität Augsburg
(wann)
2011
Ereignis
Veröffentlichung
(wer)
Physical Society of Japan
(wann)
2011
Urheber
Schubert, M.
Jeevan, H. S.
Gegenwart, Philipp

DOI
10.1143/jpsjs.80sa.sa004
URN
urn:nbn:de:bvb:384-opus4-865202
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:41 MEZ

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Beteiligte

  • Schubert, M.
  • Jeevan, H. S.
  • Gegenwart, Philipp
  • Universität Augsburg
  • Physical Society of Japan

Entstanden

  • 2011

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