Hochschulschrift

Untersuchung von yttriumstabilisiertem Hafniumoxid als Isolatorschicht für DRAM-Kondensatoren

zu Verbundenen Objekten

Weitere Titel
Investigation of yttrium oxide stabilized hafnium oxide as dielectric film for DRAM capacitors
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Dresden, Technische Universität Dresden, Diss., 2011

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Dynamisches RAM
Kondensator
Isolierstoff
Atomlagenabscheidung
Speicher
Krümmungsmessung
Mikrostruktur
RAM
Bauelement
Transistor
Chip
Substrat
Werkstoffkunde
Atomlagenabscheidung

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Dresden
(wer)
Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
(wann)
2011
Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Dresden
(wer)
Technische Universität Dresden
(wann)
2011
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Eckert, Jürgen
Bartha, Johann W.

URN
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-78367
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:37 MESZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Gluch, Jürgen
  • Eckert, Jürgen
  • Bartha, Johann W.
  • Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
  • Technische Universität Dresden

Entstanden

  • 2011

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