Statistical characteristics of reset switching in Cu/HfO2/Pt resistive switching memory

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
1556-276X
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
Statistical characteristics of reset switching in Cu/HfO2/Pt resistive switching memory ; volume:9 ; number:1 ; day:23 ; month:12 ; year:2014 ; pages:1-7 ; date:12.2014
Nanoscale research letters ; 9, Heft 1 (23.12.2014), 1-7, 12.2014

Urheber
Zhang, Meiyun
Long, Shibing
Wang, Guoming
Liu, Ruoyu
Xu, Xiaoxin
Li, Yang
Xu, Dinlin
Liu, Qi
Lv, Hangbing
Miranda, Enrique
Suñé, Jordi
Liu, Ming
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1186/1556-276X-9-694
URN
urn:nbn:de:101:1-2021080921334336286370
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:57 MESZ

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Beteiligte

  • Zhang, Meiyun
  • Long, Shibing
  • Wang, Guoming
  • Liu, Ruoyu
  • Xu, Xiaoxin
  • Li, Yang
  • Xu, Dinlin
  • Liu, Qi
  • Lv, Hangbing
  • Miranda, Enrique
  • Suñé, Jordi
  • Liu, Ming
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