Hochschulschrift
Strukturuntersuchungen an epitaktisch abgeschiedenen SiC-Schichten
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783896753687
3896753681
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
135 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 1998
- Schlagwort
-
Siliciumcarbid
Kristallzüchtung
Gasphasenepitaxie
Wafer
Rückseite
Prozessinnovation
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
München
- (wer)
-
Utz, Wiss.
- (wann)
-
1998
- Urheber
-
Lang, Hans-Peter
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 11:43 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Lang, Hans-Peter
- Utz, Wiss.
Entstanden
- 1998
Ähnliche Objekte (12)
Si-C-B-N-Schichten aus der Gasphase
Eigenschaften ionenstrahlgesputteter optischer SiO2- und TiO2-Schichten bei unterschiedlichen Wachstumsbedingungen und Veränderungen bei thermischer Nachbehandlung
Simulation des Transportverhaltens in Si-Si1-xGex-Si-Heterobipolartransistoren
Entwicklung eines Monte-Carlo-Bauelementsimulators für Si, SiGe-Heterobipolartransistoren
Die generelle Einstellung deutscher Rezipienten gegenüber Werbung, Buch.
Einführung in die technische Mechanik, Teil 2.. Elastostatik (Festigkeitslehre)
Innovative Montagesysteme : Anlagengestaltung, -bewertung und -überwachung
Breviarium oecumenicum in linguis originalibus
Einführung in die technische Mechanik, Teil 1.. Statik
Rapid-Technologien : Anspruch - Realität - Zukunft : Augsburg, 11. Juli 2002
Full-band Monte Carlo simulation of electrons and holes in strained Si and SiGe
Röntgenographische Charakterisierung von plasmagestützt abgeschiedenen ITO-Schichten
Si-C-B-N-Schichten aus der Gasphase
Eigenschaften ionenstrahlgesputteter optischer SiO2- und TiO2-Schichten bei unterschiedlichen Wachstumsbedingungen und Veränderungen bei thermischer Nachbehandlung
Simulation des Transportverhaltens in Si-Si1-xGex-Si-Heterobipolartransistoren
Entwicklung eines Monte-Carlo-Bauelementsimulators für Si, SiGe-Heterobipolartransistoren
Die generelle Einstellung deutscher Rezipienten gegenüber Werbung, Buch.
Einführung in die technische Mechanik, Teil 2.. Elastostatik (Festigkeitslehre)
Innovative Montagesysteme : Anlagengestaltung, -bewertung und -überwachung
Breviarium oecumenicum in linguis originalibus
Einführung in die technische Mechanik, Teil 1.. Statik
Rapid-Technologien : Anspruch - Realität - Zukunft : Augsburg, 11. Juli 2002
Full-band Monte Carlo simulation of electrons and holes in strained Si and SiGe
Röntgenographische Charakterisierung von plasmagestützt abgeschiedenen ITO-Schichten
Si-C-B-N-Schichten aus der Gasphase
Eigenschaften ionenstrahlgesputteter optischer SiO2- und TiO2-Schichten bei unterschiedlichen Wachstumsbedingungen und Veränderungen bei thermischer Nachbehandlung
Simulation des Transportverhaltens in Si-Si1-xGex-Si-Heterobipolartransistoren
Entwicklung eines Monte-Carlo-Bauelementsimulators für Si, SiGe-Heterobipolartransistoren
Die generelle Einstellung deutscher Rezipienten gegenüber Werbung, Buch.
Einführung in die technische Mechanik, Teil 2.. Elastostatik (Festigkeitslehre)
Innovative Montagesysteme : Anlagengestaltung, -bewertung und -überwachung
Breviarium oecumenicum in linguis originalibus
Einführung in die technische Mechanik, Teil 1.. Statik
Rapid-Technologien : Anspruch - Realität - Zukunft : Augsburg, 11. Juli 2002
Full-band Monte Carlo simulation of electrons and holes in strained Si and SiGe