Low Voltage Operating 2D MoS2 Ferroelectric Memory Transistor with Hf1-xZrxO2 Gate Structure

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
1556-276X
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
Low Voltage Operating 2D MoS2 Ferroelectric Memory Transistor with Hf1-xZrxO2 Gate Structure ; volume:15 ; number:1 ; day:2 ; month:8 ; year:2020 ; pages:1-9 ; date:12.2020
Nanoscale research letters ; 15, Heft 1 (2.8.2020), 1-9, 12.2020

Urheber
Zhang, Siqing
Liu, Yan
Zhou, Jiuren
Ma, Meng
Gao, Anyuan
Zheng, Binjie
Li, Lingfei
Su, Xin
Han, Genquan
Zhang, Jincheng
Shi, Yi
Wang, Xiaomu
Hao, Yue
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1186/s11671-020-03384-z
URN
urn:nbn:de:101:1-2020092715291126197525
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:45 MESZ

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Beteiligte

  • Zhang, Siqing
  • Liu, Yan
  • Zhou, Jiuren
  • Ma, Meng
  • Gao, Anyuan
  • Zheng, Binjie
  • Li, Lingfei
  • Su, Xin
  • Han, Genquan
  • Zhang, Jincheng
  • Shi, Yi
  • Wang, Xiaomu
  • Hao, Yue
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