Hochschulschrift | Online-Publikation

Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren

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Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Deutsch
Notes
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005

Classification
Physik
Keyword
Siliciumcarbid
Elektronenbeweglichkeit
Tieftemperatur
MOS-FET
Elektronenbeweglichkeit
Siliciumcarbid ; Hall-Effekt ; Impedanzspektroskopie ; n-Kanal-FET

Creator

URN
urn:nbn:de:bvb:29-opus-1830
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
25.03.2025, 1:50 PM CET

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Object type

  • Hochschulschrift
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