Hochschulschrift | Online-Publikation
Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2005
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
Siliciumcarbid
Elektronenbeweglichkeit
Tieftemperatur
MOS-FET
Elektronenbeweglichkeit
Siliciumcarbid ; Hall-Effekt ; Impedanzspektroskopie ; n-Kanal-FET
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus-1830
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:23 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
- Online-Publikation
Beteiligte
Ähnliche Objekte (12)
Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D
Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D
Mikrowellen-Halbleiter, Transistoren
Halbleiter, Dioden, Transistoren
Epitaktisches Graphen auf Siliziumkarbid(0001) als integriertes Metall-Halbleiter-System
Hochauflösende Laserspektroskopie an tiefen Störstellen in Galliumarsenid und Siliziumkarbid
Strahlendefekte in Siliziumkarbid : Untersuchungen mit optisch detektierter Elektronen-paramagnetischer Resonanz
Strahlendefekte in Siliziumkarbid : Untersuchungen mit optisch detektierter Elektronen-paramagnetischer Resonanz
Entwicklung eines prozessrechnergestützten Raster-Tunnelmikroskops und Morphologie-Bestimmung des Halbleiters Siliziumkarbid
Metallische Hochtemperatur-Einzel-Elektronen-Transistoren
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren
Nano-mechanischer Einzel-Elektronen-Transistor
Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D
Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D
Mikrowellen-Halbleiter, Transistoren
Halbleiter, Dioden, Transistoren
Epitaktisches Graphen auf Siliziumkarbid(0001) als integriertes Metall-Halbleiter-System
Hochauflösende Laserspektroskopie an tiefen Störstellen in Galliumarsenid und Siliziumkarbid
Strahlendefekte in Siliziumkarbid : Untersuchungen mit optisch detektierter Elektronen-paramagnetischer Resonanz
Strahlendefekte in Siliziumkarbid : Untersuchungen mit optisch detektierter Elektronen-paramagnetischer Resonanz
Entwicklung eines prozessrechnergestützten Raster-Tunnelmikroskops und Morphologie-Bestimmung des Halbleiters Siliziumkarbid
Metallische Hochtemperatur-Einzel-Elektronen-Transistoren
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren
Nano-mechanischer Einzel-Elektronen-Transistor
Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D
Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D
Mikrowellen-Halbleiter, Transistoren
Halbleiter, Dioden, Transistoren
Epitaktisches Graphen auf Siliziumkarbid(0001) als integriertes Metall-Halbleiter-System
Hochauflösende Laserspektroskopie an tiefen Störstellen in Galliumarsenid und Siliziumkarbid
Strahlendefekte in Siliziumkarbid : Untersuchungen mit optisch detektierter Elektronen-paramagnetischer Resonanz
Strahlendefekte in Siliziumkarbid : Untersuchungen mit optisch detektierter Elektronen-paramagnetischer Resonanz
Entwicklung eines prozessrechnergestützten Raster-Tunnelmikroskops und Morphologie-Bestimmung des Halbleiters Siliziumkarbid
Metallische Hochtemperatur-Einzel-Elektronen-Transistoren
Silizium basierende Einzel-Elektronen-Transistoren