Hochschulschrift

Hochtemperaturoxidation von Silicium in trockenem Sauerstoff unter Berücksichtigung mechanischer Spannungen im Oxid

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
123, 4 Bl.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Chemnitz, Zwickau, Techn. Univ., Diss., 1993

Schlagwort
Siliciumdioxid
Schichtwachstum
Eigenspannung
Hochtemperaturkriechen

Urheber
Rautschke, Uwe

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:08 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Rautschke, Uwe

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