Piezoelectric AlN films for FPW sensors with improved device performance
Abstract: Reactively sputtered piezoelectric aluminum nitride (AlN) films for flexural plate wave (FPW) electroacoustic sensors equipped with buried interdigital transducers (IDTs) for sensing in liquids were fabricated and characterized. In order to assess the crystallographic and elastic film properties, residual film stress, and piezoelectric response, comprehensive analyses were performed on AlN layers and bimorph AlN structures, including X-ray diffraction, atomic force microscopy, and nanoindentation, in combination with analysis of the piezoelectric charge coefficient d33,f. To demonstrate the applicability of the optimized AlN films to electro-acoustic devices, IDT equipped devices were fabricated and characterized by means of laser Doppler vibrometry
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Procedia engineering. - 168 (2016) , 1040-1043, ISSN: 1877-7058
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Freiburg
- (wer)
-
Universität
- (wann)
-
2025
- Urheber
-
Reusch, Markus
Holc, Katarzyna
Kirste, Lutz
Katus, Philip
Reindl, Leonhard M.
Ambacher, Oliver
Lebedev, Vadim
- DOI
-
10.1016/j.proeng.2016.11.335
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:25-freidok-1724009
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:38 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Reusch, Markus
- Holc, Katarzyna
- Kirste, Lutz
- Katus, Philip
- Reindl, Leonhard M.
- Ambacher, Oliver
- Lebedev, Vadim
- Universität
Entstanden
- 2025
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