Hochschulschrift
Charakterisierung integriert-optischer Silizium-Wellenleiter
- Weitere Titel
-
Characterizing integrated silicon waveguides
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Hamburg-Harburg, Technische Universität, Diss., 2013
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
Wellenleiter
Raman-Effekt
Silicium
Photonik
Streifenwellenleiter
Silizium ; Wellenleiter ; Optik ; Kommunikationstechnik ; Messtechnik ; Integrierte Optik ; Photonik ; Reflektometrie ; Raman-Effekt
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Hamburg-Harburg
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der Technischen Universität Hamburg-Harburg
- (wann)
-
2013
- Urheber
-
Müller, Jost
- Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
-
urn:nbn:de:gbv:830-tubdok-12203
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:43 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Müller, Jost
- Brinkmeyer, Ernst
- Universitätsbibliothek der Technischen Universität Hamburg-Harburg
Entstanden
- 2013
Ähnliche Objekte (12)
Integriert optische Wellenleiter-Photodetektor-Kombinationen in Silizium-Germanium-Legierungen
Plasmaabgeschiedene integriert optische Wellenleiter auf Silizium für die faseroptische Kommunikationstechnik
Numerische Analyse integriert-optischer Wellenleiter
Analyse nichtlinearer integriert-optischer Wellenleiter
Effiziente Analyse längshomogener integriert-optischer Wellenleiter
Herstellung und Charakterisierung integriert-optischer Wellenleiter auf Glasbasis für sensorische Anwendungen
Koppler und Funtionsstrukturen für integriert-optische single-mode polymer Wellenleiter
Reflektometrische Methoden zur ortsaufgelösten Untersuchung Faser- und integriert-optischer Wellenleiter
Phasenmodulierendes integriert-optisches Mikrofon aus Silizium
Integriert-optische Wellenleiter aus BaTiO3 auf ZnO und Si
Integriert-optische Wellenleiter aus BaTiO3 auf ZnO und Si
Herstellung und Untersuchung integriert optischer Wellenleiterkomponenten in Silizium
Integriert optische Wellenleiter-Photodetektor-Kombinationen in Silizium-Germanium-Legierungen
Plasmaabgeschiedene integriert optische Wellenleiter auf Silizium für die faseroptische Kommunikationstechnik
Numerische Analyse integriert-optischer Wellenleiter
Analyse nichtlinearer integriert-optischer Wellenleiter
Effiziente Analyse längshomogener integriert-optischer Wellenleiter
Herstellung und Charakterisierung integriert-optischer Wellenleiter auf Glasbasis für sensorische Anwendungen
Koppler und Funtionsstrukturen für integriert-optische single-mode polymer Wellenleiter
Reflektometrische Methoden zur ortsaufgelösten Untersuchung Faser- und integriert-optischer Wellenleiter
Phasenmodulierendes integriert-optisches Mikrofon aus Silizium
Integriert-optische Wellenleiter aus BaTiO3 auf ZnO und Si
Integriert-optische Wellenleiter aus BaTiO3 auf ZnO und Si
Herstellung und Untersuchung integriert optischer Wellenleiterkomponenten in Silizium
Integriert optische Wellenleiter-Photodetektor-Kombinationen in Silizium-Germanium-Legierungen
Plasmaabgeschiedene integriert optische Wellenleiter auf Silizium für die faseroptische Kommunikationstechnik
Numerische Analyse integriert-optischer Wellenleiter
Analyse nichtlinearer integriert-optischer Wellenleiter
Effiziente Analyse längshomogener integriert-optischer Wellenleiter
Herstellung und Charakterisierung integriert-optischer Wellenleiter auf Glasbasis für sensorische Anwendungen
Koppler und Funtionsstrukturen für integriert-optische single-mode polymer Wellenleiter
Reflektometrische Methoden zur ortsaufgelösten Untersuchung Faser- und integriert-optischer Wellenleiter
Phasenmodulierendes integriert-optisches Mikrofon aus Silizium
Integriert-optische Wellenleiter aus BaTiO3 auf ZnO und Si
Integriert-optische Wellenleiter aus BaTiO3 auf ZnO und Si