Hochschulschrift
Elektronische Transporteigenschaften von Halbleitern mit großer Bandlücke für die Anwendung in der Leistungselektronik
- Weitere Titel
-
Electronic transport properties of wide band gap semiconductors for the application in power electronics
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Diss., 2015
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
DLTS
DLTFS
Galliumnitrid
HEMT
Ladungsträgerbeweglichkeit
Magnetowiderstand
Siliciumcarbid
Tiefe Störstelle
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Erlangen
- (wer)
-
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
- (wann)
-
2015
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Weber, Heiko B.
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus4-62029
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:54 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Rönsch, Sebastian
- Weber, Heiko B.
- Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
Entstanden
- 2015
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