Radiative Recombination and Carrier Injection Efficiencies in 265 nm Deep Ultraviolet Light‐Emitting Diodes Grown on AlN/Sapphire Templates with Different Defect Densities
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
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In: physica status solidi (a) (220:16) - New York, NY : Wiley - Art.-Id. 2200458 - S. -
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
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Berlin
- (wer)
-
Technische Universität Berlin
- (wann)
-
2023
- Urheber
-
Muhin, Anton
Guttmann, Martin
Montag, Verena
Susilo, Norman
Ziffer, Eviathar
Sulmoni, Luca
Hagedorn, Sylvia
Lobo Ploch, Neysha
Rass, Jens
Cancellara, Leonardo
Wu, Shaojun
Wernicke, Tim
Kneissl, Michael
- DOI
-
10.14279/depositonce-19077
- Handle
-
11303/20279
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2023111501005449097917
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 11:00 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Muhin, Anton
- Guttmann, Martin
- Montag, Verena
- Susilo, Norman
- Ziffer, Eviathar
- Sulmoni, Luca
- Hagedorn, Sylvia
- Lobo Ploch, Neysha
- Rass, Jens
- Cancellara, Leonardo
- Wu, Shaojun
- Wernicke, Tim
- Kneissl, Michael
- Technische Universität Berlin
Entstanden
- 2023