Gradual reset and set characteristics in yttrium oxide based resistive random access memory
- Location
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
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Online-Ressource
- Language
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Englisch
- Bibliographic citation
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In: Semiconductor Science and Technology, 34, (7), IOP Publishing, ISSN 0268-1242
- Event
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Veröffentlichung
- (where)
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Darmstadt
- (who)
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Universitäts- und Landesbibliothek
- (when)
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2021
- Creator
- DOI
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10.26083/tuprints-00019328
- URN
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urn:nbn:de:tuda-tuprints-193289
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
15.01.0144, 6:21 AM CET
Data provider
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Associated
- Petzold, Stefan
- Piros, Eszter
- Sharath, Sankaramangalam Ulhas
- Zintler, Alexander
- Hildebrandt, Erwin
- Molina-Luna, Leopoldo
- Wenger, Christian
- Alff, Lambert
- Universitäts- und Landesbibliothek
Time of origin
- 2021