Gradual reset and set characteristics in yttrium oxide based resistive random access memory

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch

Bibliographic citation
In: Semiconductor Science and Technology, 34, (7), IOP Publishing, ISSN 0268-1242

Event
Veröffentlichung
(where)
Darmstadt
(who)
Universitäts- und Landesbibliothek
(when)
2021
Creator

DOI
10.26083/tuprints-00019328
URN
urn:nbn:de:tuda-tuprints-193289
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
15.01.0144, 6:21 AM CET

Data provider

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Time of origin

  • 2021

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