Entwicklung einer 2-μm-Silicon-Gate-CMOS-Technologie [Zwei-mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie] zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
246 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
122 Ill. u. graph. Darst.
Als Ms. gedr.
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Eggenstein-Leopoldshafen
- (wer)
-
Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik Karlsruhe
- (wann)
-
1984
- Urheber
-
Fischer, Gerhard
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:44 MESZ
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Beteiligte
- Fischer, Gerhard
- EUROSIL GmbH. Eching, Freising
- Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik Karlsruhe
Entstanden
- 1984
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