Hochschulschrift
Frequenzabhängige Eigenschaften von In-Plane-Gate-Strukturen, hergestellt durch fokussierte Ionenstrahl-Implantation
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
V, 125 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Bochum, Univ., Diss., 2000
- Keyword
-
Galliumarsenid
Indiumarsenid
Mischkristall
Heterostruktur
Ionenimplantation
IPG-FET
- Creator
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.06.2025, 1:50 PM CEST
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Object type
- Hochschulschrift
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